Transphorm, Inc.（Nasdaq：TGAN）是强大的GaN功率半导体（下一代电力系统的未来）领域全球领先的企业。该公司今天推出了三款TOLL封装的SuperGaN®FET，其导通电阻分别为35、50和72毫欧姆。Transphorm的TOLL封装配置符合行业标准，也就是说SuperGaN TOLL FET可以用作任何电子模式TOLL解决方案的开箱即用型替代品。新器件还提供了Transphorm久经验证的高电压动态（开关）导通电阻可靠性，这在基于厂家的主要电子模式GaN产品中通常是...

长期以来，在功率应用方案中，热管理一直是挑战。当项目有空间放置大型的散热器时，从电路板和半导体器件上将废热导出较为容易。然而，随着输出功率提升以及功率密度和电路密度的要求，散热处理的难度越来越大。对于当今的大电流、高功率应用和 650 V GaN 功率场效应晶体管，通常需要更高效的器件散热方式，甚至已成为强制性的要求。因此，顶部散热方式的 CCPAK 封装，可以提供更佳散热性能。 在大功率器件封装中，最主要的散热要素就是传导路径。对于传统的 SMD 封装，废热通过器件的底部散热，将器件引脚和...

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